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キヤノンCMOSセンサーテクノロジー
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キヤノンの半導体製造技術サイズ集光効率ノイズ低減技術開発体制
集光効率
高画素化と高感度化・再現能力の拡大。
相反するテーマをナノテクノロジーが解決します
一般に、高画素化などで画素サイズが小さくなると、感度の低下やダイナミックレンジの悪化を招いてしまいます。しかしキヤノンは、マイクロレンズの狭ギャップ化により、高画素化と感度の向上を両立させました。さらに、画素内の回路密度を高めることにより、光の蓄積容量を十分に確保。これは低ISO側の出力レンジの拡大をもたらし、高感度化と相まって幅広いISO感度設定へと結びついています。
高画素と高感度を両立させた、オンチップマイクロレンズ技術。
センサーの表面には、一つひとつの画素に対応するマイクロレンズが並んでいます。これは、より多くの光を画素に集めるための微細な凸レンズです。キヤノンは、このレンズの隙間(マイクロレンズギャップ)を縮小させることで、高画素化(=高密度化)に対応しつつ個々のマイクロレンズはゆとりある大きさを確保。これにより集光効率が飛躍的に向上し、高ISO側の出力レンジ拡大を実現しました。
 
より多くの光をフォトダイオードに取り込むための、薄膜構造。
集光効率をさらに高めるため、キヤノンはセンサーを覆う膜構造にも工夫をほどこしました。これを薄膜化することで、フォトダイオード上の一点 から見た場合、遮光層による光のケラレを抑制。より多くの光をフォトダイオードに取り込むことに成功しています。これにより、EOS-1Ds Mark IIIの場合、約6.4μm角の画素サイズでありながらISO1600(推奨露光指数)の常用設定を実現しています。
薄膜化概念図
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