| EOS-1D Mark IV | EOS-1D Mark III |
測光分割数 |
63 |
測光モード |
(1)評価測光(すべてのAFフレームに対応) (2)中央部重点平均測光 (3)部分測光 (4)スポット測光 |
(1)評価測光(すべてのAFフレームに対応) (2)中央部重点平均測光 (3)部分測光 (4)スポット測光・中央部スポット測光・AFフレーム連動スポット測光・マルチスポット測光(最大入力回数8回) |
部分測光領域 |
約13.5% |
スポット測光領域 |
約3.8% |
撮影モード |
プログラムAE、シャッター優先AE、絞り優先AE、マニュアル露出、バルブ |
プログラムAE(シフト可)、シャッター優先AE、絞り優先AE、E-TTL II自動調光、マニュアル露出、ストロボメータードマニュアル |
露出補正:手動 |
1/3、1/2段ステップ±3段(AEB併用可能) |
露出補正:AEB |
1/3、1/2段ステップ±3段 |
測光輝度範囲 |
EV0〜20(常温・EF50mm F1.4 USM使用・ISO100) |
ISO感度(推奨露光指数) |
自動設定(ISO Auto)、ISO100〜12800任意設定(1/3、1段ステップ)、およびL(ISO50相当)、H1(ISO25600相当)、H2(ISO51200相当)、H3(ISO102400相当)の感度拡張が可能 |
ISO100〜3200(1/3、1段ステップ)、およびISO50(L)、6400(H)の感度拡張が可能 |
AEロック |
自動:ワンショットAF・評価測光時、合焦と同時にAEロック 手動:AEロックボタン押しによる |
多重露出撮影 |
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