| EOS KissデジタルN | EOS Kiss X3 |
測光分割数 |
35 |
測光モード |
(1)評価測光(すべてのAFフレームに対応) (2)中央部重点平均測光 (3)部分測光 |
(1)評価測光(すべてのAFフレームに対応) (2)中央部重点平均測光 (3)部分測光 (4)スポット測光 |
部分測光領域 |
約9% |
スポット測光領域 |
− |
約4.0% |
撮影モード |
プログラムAE(全自動、ポートレート、風景、クローズアップ、スポーツ、夜景ポートレート、ストロボ発光禁止、プログラム)、シャッター優先AE、絞り優先AE、自動深度優先AE、マニュアル露出、E-TTL II自動調光 |
プログラムAE(全自動、ポートレート、風景、クローズアップ、スポーツ、夜景ポートレート、ストロボ発光禁止、プログラム)、クリエイティブオート、シャッター優先AE、絞り優先AE、自動深度優先AE、マニュアル露出、E-TTL II自動調光 |
露出補正:手動 |
1/3、1/2段ステップ±2段(AEB併用可能) |
露出補正:AEB |
1/3、1/2段ステップ±2段 |
測光輝度範囲 |
EV1〜20(常温・50mm F1.4使用・ISO100相当) |
EV1〜20(常温・EF50mm F1.4 USM使用・ISO100) |
ISO感度(推奨露光指数) |
かんたん撮影ゾーン:自動設定(ISO100〜400 相当) 応用撮影ゾーン:ISO100、200、400、800、1600相当 |
かんたん撮影ゾーン:ISO100〜1600自動設定 応用撮影ゾーン:ISO100〜3200任意設定(1段ステップ)、自動設定、およびISO6400、ISO12800(H)の感度拡張が可能 |
AEロック |
自動:ワンショットAF・評価測光時、合焦と同時にAEロック手動:AEロックボタン押しによる。すべての測光方式で可能 |
自動:評価測光のワンショットAF合焦時 手動:AEロックボタン押しによる |
多重露出撮影 |
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