ハイスループットアッシング・エッチング装置MAS-8220AT仕様

高生産性と省スペースを提供する低CoO値のハイスループットアッシング・エッチング装置 MAS-8220AT

基本仕様

項目名 マイクロ波プラズマ方式
ウエハーサイズ ø4~8インチ(オプション:2、3インチウエハ、薄ウエハ、TAIKOウエハ、裏面保護対応)
反応ガスライン O2(オプション:CF4、H2/N2、他MAX4系統)
EPDユニット 発光スペクトル方式
ウエハーステージ 設定温度60℃~270℃(オプション:急速冷却対応)
排気系 ドライポンプ2式(オプション)
装置サイズ 本体 W1260×D1700×H2580mm
アプリケーション ハイレートアッシング
ハイドーズI/I PR処理(HDIS)
ディスカム処理
等方性エッチング
異方性エッチング
Polyエッチバック
SiCダメージ層除去
Siダメージ層除去
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