膜厚測定装置QC-TT/QC-RT

単結晶欠陥解析用 X線トポグラフィ装置 QC-TT QC-RT

基本情報

QC-RT
装置名
QC-TT/QC-RT(単結晶欠陥解析用X線トポグラフィ装置)
製造元
Jordan Valley Semiconductors Inc.

主な特長

アプリケーション

基本仕様

ウエハーサイズ ø2″~ø12″ (450mmオプション対応)
測定光学系 単結晶欠陥解析用X線トポグラフィ装置
QC-TT(透過式)、QC-RT(反射式)
計測材料 Si、SiC、GaAs、InP、Sapphire、CaF2、MgF2など
(III-V、II-VI、IV-IV族単結晶基板)
測定項目 結晶欠陥、転位、スリップ、OSF、ウェーハ割れ予測など
装置サイズ QC-TT:W 1500×D 1379×H 1800 mm(突起部、付属品除く)
QC-RT:W 1050×D 1110×H 1630 mm(突起部、付属品除く)
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