高性能ランプアニーリング装置mattson HeliosXP Rapid Thermal Annealer概要

ハイパフォーマンス/低CoOランプアニーリング装置 mattson HeliosXP

基本情報(商品構成)

HeliosXP Rapid Thermal Annealer
装置名
mattson HeliosXP
製造元
Mattson Technology

特長

45nmプロセス以降、300mm対応のハイパフォーマンス/低CoOランプアニーリング装置

基本仕様

ウエハーサイズ ø12″
適応プロセス温度 MBC Soak Controller650℃~1,250℃(標準仕様)
MBC Low Temp Controller250℃~650℃(オプション)
昇温レート 5~250℃/sec
温度設定可能時間 0~500sec/block
温度制御 MBC(Model Based Temperature Control)
プロセスガスライン 最大13ライン(1チャンバー当り)
装置サイズ W 1,825 × D 2,871 × H 2,540 mm(本体のみ)
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