memsstar®SVR ™ XeF2|概要

Sacrificial Vapour Release シリコン系膜犠牲層エッチング装置 memsstar<sup>®</sup>SVR™ XeF2

基本情報

  • 装置名: memsstar®SVR ™ XeF2
  • 製造元: memsstar®Technology

特長

  • 非プラズマでガスケミストリィを利用してエッチングする枚葉式ドライエッチング装置
  • 枚葉式ドライ処理方式
    優れたタクトタイムを実現
    微細加工を高速でダメージレス、良好な均一性・再現性のエッチングが可能
  • 広範なアプリケーションに対応可能なプロセスフレキシビリティーと優れたアンダーカット制御性
  • 多様なシステム構成
    開発用の“Solo”、“Sentry”、量産用の“Multi”プラットフォームによる多様なシステム構成が可能
    特に“Multi”プラットフォームではさまざまなプロセスモジュールを組み合せたインライン処理が可能

基本仕様

ウエハーサイズ4~8インチおよび不定形
ガスライン 2ライン(XeF2, N2)

マイクロマシン(MEMS)

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