プラズマエッチング装置/プラズマCVD装置/プラズマダイシング装置VERSALINE Etch Series

次世代パワー半導体として注目されるGaN、高周波半導体基板のGaAs加工に対応したエッチング装置 VERSALINE ® Etch Series

基本情報

装置名
VERSALINE ®
製造元
Plasma Therm

おもな特長

商品仕様

ウェハーサイズ
φ3-8 小径ウェハー、トレー処理対応可能
ウェハー固定方式
ESC、メカニカルクランプ選択可能
プロセスモジュール数
最大6PM
温度制御
-20℃~180℃
安定性
W to W repeatability <±2% Uptime>90%
プロセス終点検知
OEI(Optical Emission Interferometry)
OES(Optical Emission Spectroscopy)
LES(Laser Endpoint System)
装置サイズ
W876×D2,100×H2,090mm(本体のみ)
アプリケーション
ICP
RIE
DSE

GaAs、AlGaAs、GaP、InP、GaN、AlGaN、InGaN、Al203、SiC
GaAs、AlGaAs Gate recess
Si、SiO2、SiN
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