VERSALINE Etch Seriesプラズマエッチング装置／プラズマCVD装置
基本情報
- 装置名
- VERSALINE ®
- 製造元
- Plasma Therm
おもな特長
- シリコン半導体、化合物半導体、MEMSと各種デバイス製造工程に最適なドライエッチング装置
- 研究、開発、小規模生産から量産まで対応可能な多様なプラットホーム
- 最大6PMまで搭載可能。チャンバー追加が可能であり、プロセス開発から量産への展開にも対応
- ICP、RIE、DSE（Deep Si Etching）をラインアップ
- 高密度、高均一なプラズマを発生する2MHz ICPソース
- 第4世代ICPプラズマソースは最先端シリコン深堀エッチング技術に対応
- ウェハー支持は、静電チャック、メカニカルチャックから選択可能
- 低ダメージゲートエッチング用40MHzパルス印加方式
- GaN高速異方性加工やテーパ形状加工、GaN、AlGaN複層構造のゲートリセス加工、InPマイクロレンズ加工、サファイア加工、シリコン深堀加工に対応
商品仕様
- ウェハーサイズ
- φ3-8 小径ウェハー、トレー処理対応可能
- ウェハー固定方式
- ESC、メカニカルクランプ選択可能
- プロセスモジュール数
- 最大6PM
- 温度制御
- -20℃～180℃
- 安定性
- W to W repeatability ＜±2％ Uptime＞90％
- プロセス終点検知
-
OEI（Optical Emission Interferometry）
OES（Optical Emission Spectroscopy）
LES（Laser Endpoint System）
- 装置サイズ
- W876×D2,100×H2,090mm（本体のみ）
- アプリケーション
ICP
RIE
DSE -
GaAs、AlGaAs、GaP、InP、GaN、AlGaN、InGaN、Al203、SiC
GaAs、AlGaAs Gate recess
Si、SiO2、SiN
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