プラズマエッチング装置/プラズマCVD装置/プラズマダイシング装置Vision Series / Apex SLR

研究開発、小規模生産向けの高性能スモールサイズプロセス装置 Vision Series / Apex SLR

基本情報

装置名
Vision / Apex SLR
製造元
ADVANCED VACUUM(Plasma-Therm Group)

おもな特長

Vision:RIE-Etch、PE / RIE-Etch、PECVD

Apex SLR:ICP-Etch

商品仕様

ウェハーサイズ
最大φ12″対応可能 小径ウェハー、角基板、トレー処理対応可能
電極サイズ
12″diameter(ision 300 Series)、16″diameter(Vision 400 Series)
温度制御
最大380℃(PECVD)
RF電源
13.56MHz 最大1200W(410 PECVD)
プロセスガスライン
最大8ガスライン
プロセス終点検知(CVD)
OEI(Optical Emission Interferometry)
OES(Optical Emission Spectroscopy)
装置サイズ
W730×D779×H2,127mm(Vision320、本体のみ)
アプリケーション
エッチング
PECVD

絶縁膜、シリコン、III-V族化合物、有機膜
パッシベーション、保護膜成膜、SiO2、SiOxNy、SiNx

Vision 300 Series ウェハ配置例

Vision 400 Series ウェハ配置例

Vision PE / RIEエッチング加工例

Vision PE / RIEエッチング加工例仕様

  SiO etch SiN etch
Etch Rate (Er) : >33nm / min >33 nm / min
High rate process :   >65 nm / min
Uniformity of Er across wafer (1) : <±3% <±3%
Uniformity of Er across platen (2) : <±3% <±3%
Uniformity of Er run to run (3) : <±3% <±3%
Selectivity to Photoresist (4) : >2:1 >3:1
Selectivity to Si substrate : >2:1 >5:1
Profile : dependent on the initial mask profile

Vision PECVDエッチング加工例

Vision PECVDエッチング加工例仕様

  SiN in Vision 310 SiO2 in Vision 310
Deposition Rate : >9nm / min >20nm / min
Uniformity of thickness across wafer(1) : <±3% <±5%
Uniformity of thickness across platen(2) : <±3% <±5%
Uniformity of thickness run to run(3) : <±3% <±5%
Refractive Index : 1.90-2.20 1.47-1.50
Uniformity of RI across wafer : <±0.010 <±0.010
Uniformity of RI wafer to wafer : <±0.015 <±0.015
Stress(4) : <2E9 dynes / cm² Tensile <5e9 dynes / cm² Compressive
BHF(7:1): <100nm / min <300nm / min

APEX-SLR ICPエッチング加工例

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