ニュースリリース


発表日 2003年7月8日

100ナノメートルの高解像力を実現した
KrFエキシマスキャニングステッパー "キヤノン FPA-6000ES6" を発売



キヤノンはこのほど、100ナノ (1ナノは10億分の1) メートルの解像力を備えたKrF (フッ化クリプトン) エキシマレーザースキャニングステッパー (縮小投影型露光装置) "キヤノン FPA-6000ES6" を開発し、受注活動を開始するとともに2004年第2四半期より出荷します。

キヤノン FPA-6000ES6
FPA-6000ES6

    ●NA0.86極低収差レンズにより100nmデザインルールの本格量産に対応
    ●超高速スキャンにより高スループットを達成
    ●15ナノメートル以下の高いオーバーレイ精度
    ●300mmウエハーサイズに対応

キヤノン FPA-6000ES6 ‥‥‥‥‥‥価格(税別) 16億円 (出荷開始:2004年第2四半期)
構成により異なります。

この件に関するお問い合わせ先

キヤノン販売株式会社 半導体機器販売推進第一課

TEL 03-6719-6414 (直通)




新製品 "キヤノン FPA-6000ES6" は 「FPA-6000ES5」 の後継機で、さらなる高解像度と高スループットを実現した、300mmウエハー対応のスキャニングステッパーです。光源にKrFエキシマレーザー (波長248ナノメートル) を使用しながらも、高NA (開口数=レンズの明るさ) 0.86を実現した新開発の極低収差投影レンズを搭載することにより、100ナノメートルの高解像力で鮮明かつ微細な回路パターンを露光することができます。
また、各種ユニットの制御精度の向上やウエハー交換時間の短縮などを達成し、300mmウエハー換算で1時間あたり147枚以上 (200mmウエハー換算では170枚以上) という世界最高水準の高スループットを実現しています。

なお、新製品 "FPA-6000ES6" は、7月14日から16日まで米国・サンフランシスコで開催される 「セミコンウエスト2003」 に出展される予定です。

【半導体露光装置市場の動向】

半導体露光装置市場は、2001年下期から全世界的に厳しい状況にあり、2002年の市場は対前年マイナス23%でした。2003年上期も状況に大きな変化はなく、回復に転じるのは下期からになると思われます。(キヤノン調べ)

【開発の背景】

近年、半導体業界において、チップの高集積化に伴う微細化・低コスト化と、生産性の更なる向上が追求されています。今回の新製品は、このような業界の要求に応えるために開発されたものです。 "FPA-6000ES6" は、縮小投影レンズの高NA化とオーバーレイの高精度化を実現することで、KrFエキシマレーザー光源機として、これまで以上の微細化加工に対応できるほか、各ユニットの制御機能の改良により、高スループット化も達成しており、さらなる生産性の向上に貢献します。

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