mattson HeliosⅢ Rapid Thermal Annealer｜概要高性能ランプアニーリング装置
基本情報（商品構成）
- 装置名
- mattson HeliosⅢ
- 製造元
- Mattson Technology
特長
45nmプロセス以降、300mm対応のハイパフォーマンス／低CoOランプアニーリング装置
- Rippleパイロ方式によるウエハー裏面の放射率の影響を受けない温度モニタが可能。
- MBC（Model Based Temperature Control）搭載により、最適処理温度制御の調整が格段に簡略化。短時間でのプロセス立上げが可能であり、短TAT、低CoOを実現。
- TGF（Top gas Flow）機能によるスループットおよび均一性の改善が可能。
- 2チャンバー構成により比類なき高スループットを実現。
- パターン依存性を最小限に抑えるDTEC（Differential Thermal Energy Control）機能。
- リニアランプによる両面加熱に加えウエハー回転機構の採用により優れた面内均一性を達成。
- 高温（接合形成）から低温（シリサイド）まで幅広い温度領域での多彩なアプリケーション
基本仕様
| ウエハーサイズ | φ300mm |
|---|---|
| 適応プロセス温度 | MBC Soak Controller650℃～1,250℃（標準仕様） MBC Low Temp Controller250℃～650℃（オプション） |
| 昇温レート | 5～250℃／sec |
| 温度設定可能時間 | 0～500sec／block |
| 温度制御 | MBC（Model Based Temperature Control） |
| プロセスガスライン | 最大8ライン（1チャンバ当たり） |
| 装置サイズ | W1,865 × D2,467 × H2,640 mm（本体のみ） |
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