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VERSALINE Deposition Seriesプラズマエッチング装置/プラズマCVD装置

独自の膜ストレス制御技術によりダメージレス、高密度で耐湿性の高い成膜が可能なプラズマCVD装置 VERSALINE ® Deposition Series

基本情報

装置名
VERSALINE ®
製造元
Plasma Therm

おもな特長

  • 平行平板方式と高密度プラズマ方式により、さまざまな種類の絶縁膜成膜が可能
  • 独自のOEI終点検知方式によりプロセス中の膜厚モニタから終点検知が可能
  • He希釈技術による膜ストレス制御
  • 低温成膜の要求に対応したHDP-CVD
  • 低周波出力依存の電気的ダメージが発生しないSiN膜
  • ハイスループットバッチ式成膜装置もラインアップ(LAPECVD)

商品仕様

ウェハーサイズ
φ3-8 小径ウェハー、角基板、トレー処理対応可能
プロセスモジュール数
最大6PM
電極サイズ
11″(279mm)diameter
温度制御
80℃~350℃
安定性
W to W repeatability <±2.5% Uptime> 90%
プロセスガスライン
最大8ガスライン
プロセス終点検知
OEI(Optical Emission Interferometry)
OES(Optical Emission Spectroscopy)
装置サイズ
W876×D2,100×H2,090mm(IPM仕様、本体のみ)
アプリケーション
PECVD
HDP-CVD

パッシベーション、保護膜成膜、SiO2、SiOxNy、SiNx
200℃以下の低温下におけるSiO2、SiNx

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