Vision Series／Apex SLRプラズマエッチング装置／プラズマCVD装置
基本情報
- 装置名
- Vision／Apex SLR
- 製造元
- ADVANCED VACUUM（Plasma-Therm Group）
おもな特長
Vision：RIE-Etch、PE／RIE-Etch、PECVD
- 大学や研究機関での開発、試作用途として最適
- オープンチャンバー方式、マニュアルロード仕様
- RIEエッチャー、PE／RIEエッチャー、PECVD各々をラインアップ
- チャンバーサイズの異なる300、400シリーズをラインアップ。300シリーズ：φ2 21枚、400シリーズ：φ2 37枚の同時処理が可能
- 独自のOEI終点検知方式によりプロセス中の膜厚モニタから終点検知が可能
Apex SLR：ICP-Etch
- 少量生産、R＆Dに最適。小フットプリント設計
- ロードロック方式、マニュアルロード仕様
- 2MHz ICPソースを採用。高密度プラズマによるエッチングレートと均一性の向上
- ICPソース部90度開閉による下部電極への容易なアクセス、ターボポンプ交換が容易なスライド機構搭載
- プラズマ密度とバイアスの独立制御が可能
- 塩素系エッチングアプリケーションに対応
- 多様な終点検知方式への対応
商品仕様
- ウェハーサイズ
- 最大φ12″対応可能 小径ウェハー、角基板、トレー処理対応可能
- 電極サイズ
- 12″diameter（ision 300 Series）、16″diameter（Vision 400 Series）
- 温度制御
- 最大380℃（PECVD）
- RF電源
- 13.56MHz 最大1200W（410 PECVD）
- プロセスガスライン
- 最大8ガスライン
- プロセス終点検知（CVD）
-
OEI（Optical Emission Interferometry）
OES（Optical Emission Spectroscopy）
- 装置サイズ
- W730×D779×H2,127mm（Vision320、本体のみ）
- アプリケーション
エッチング
PECVD -
絶縁膜、シリコン、III-V族化合物、有機膜
パッシベーション、保護膜成膜、SiO2、SiOxNy、SiNx
Vision 300 Series ウェハ配置例
Vision 400 Series ウェハ配置例
Vision PE／RIEエッチング加工例
Failure Analysis-DE layered／Etch of SiO2, PR removed
Etch of InP
Aluminum Mask On Oxide
Copper Mask on Nitride
Vision PE／RIEエッチング加工例仕様
| SiO etch | SiN etch | |
|---|---|---|
| Etch Rate （Er） | ＞33nm／min | ＞33 nm／min |
| High rate process ※ | ＞65 nm／min | |
| Uniformity of Er across wafer （1） | ＜±3％ | ＜±3％ |
| Uniformity of Er across platen （2） | ＜±3％ | ＜±3％ |
| Uniformity of Er run to run （3） | ＜±3％ | ＜±3％ |
| Selectivity to Photoresist （4） | ＞2：1 | ＞3：1 |
| Selectivity to Si substrate | ＞2：1 | ＞5：1 |
| Profile | dependent on the initial mask profile | |
-
※
lower selectivity to PR and Si
Vision PECVDエッチング加工例
SiO2 film depostion step coverage
SiN film depostion step coverage
Vision PECVDエッチング加工例仕様
| SiN in Vision 310 | SiO2 in Vision 310 | |
|---|---|---|
| Deposition Rate | ＞9nm／min | ＞20nm／min |
| Uniformity of thickness across wafer（1） | ＜±3％ | ＜±5％ |
| Uniformity of thickness across platen（2） | ＜±3％ | ＜±5％ |
| Uniformity of thickness run to run（3） | ＜±3％ | ＜±5％ |
| Refractive Index | 1.90-2.20 | 1.47-1.50 |
| Uniformity of RI across wafer | ＜±0.010 | ＜±0.010 |
| Uniformity of RI wafer to wafer | ＜±0.015 | ＜±0.015 |
| Stress（4） | ＜2E9 dynes／cm² Tensile | ＜5e9 dynes／cm² Compressive |
| BHF（7：1） | ＜100nm／min | ＜300nm／min |
APEX－SLR ICPエッチング加工例
SiC
InP
InGan
GaN
GaAs
Quartz
SiO2
Si3N4
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